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“铋锑碲 BiSbTe 粉末 靶材 磁控溅射靶材 镀膜 半导体 热电材料”参数说明
| 类型： | 铋锑碲 | 型号： | 4N |
| 规格： | 定制 | 商标： | CNBM |
| 包装： | 适合运输包装 | 产量： | 2000 |
“铋锑碲 BiSbTe 粉末 靶材 磁控溅射靶材 镀膜 半导体 热电材料”详细介绍
BiSbTe也是一种新型的,p型，非常具有发展潜力的半导体热电材料。
产品性能：
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成分 |
Bi,Sb,Te(不同原子比) |
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纯度 |
99.99% |
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密度 |
>98%,6.8g/cm3 |
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尺寸 |
50.8mm - 300mm |
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公差 |
直径：±0.1mm,厚度：±0.1mm |
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粗糙度 |
32RMS |
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